[发明专利]一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法有效
| 申请号： | 202110834666.7 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113539833B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 乔明;王正康;马涛;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法，控制栅制备包括：控制栅与分离栅之间的介质层形成后，热生长牺牲氧并淀积氮化硅，其中氮化硅与硅层通过上述牺牲氧隔离开；淀积氧化层并回刻至低于MESA区氮化硅上表面，使用MASK刻蚀氧化层及氮化硅后槽内保留一定垂直高度的氮化硅；淀积氧化层并采用CMP与湿刻结合的方式去除部分氧化层，至其界面与分离栅上界面保持一定距离后刻蚀剩余氮化硅；淀积多晶并回刻形成控制栅。本发明所述方法采用氮化硅层屏蔽氧化层刻蚀的方式，形成下部分较窄的控制栅，所述控制栅工艺上易实现，同时减小控制栅与分离栅交叠从而降低栅源电容。分离栅上部分较大横截面积降低栅源电容及栅电荷的同时保证栅电阻基本不退化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分离 功率 mosfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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