[发明专利]一种光掩模坯料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110823958.0 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN113488378A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李翼;李伟;周志刚 | 申请（专利权）人： | 湖南普照信息材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇 |
| 地址： | 410205 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种光掩模胚料，包括：基底；设置在所述基底上的相移层；设置在所述相移层上的遮光膜层；所述遮光膜层包括铬元素、氧元素与碳元素；设置在所述遮光膜层上的低反射膜层；所述低反射膜层包括铬元素、碳元素、氮元素与氧元素。与现有技术相比，本发明通过在遮光膜层及低反射膜层中引入铬碳化合物，可更好地稳定刻蚀均匀性从而得到更好地刻蚀剖面，同时还可在降低薄膜厚度的同时保持其光密度，提高曝光效果；并且薄膜均匀，方阻较小，可有效防止出现静电击穿和静电累积现象。进一步，本发明通过溅射沉积工艺连续堆叠相移膜、遮光膜与低反射膜，使薄膜降低厚度的同时保持光密度不变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光掩模 坯料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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