[发明专利]一种全无机半导体量子点激光器的制备方法在审
| 申请号： | 202110817010.4 | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN113572014A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 张雷;王超男 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/34;C09K11/88;C09K11/02;B05D1/00;B05D3/02;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 徐激波 |
| 地址： | 226000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全无机半导体量子点激光器的制备方法，所述全无机量子点是以无机ZnO溶胶为表面配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点，该量子点薄膜经高温退火处理后作为量子点微型激光器的光增益介质层，然后在室温环境下利用电子束热蒸发法沉积高质量的上高反镜，最终制得全无机半导体量子点微型激光器。本发明的全无机量子点激光器，可以有效解决传统量子点因表面有机配体导致的量子点光学性能及器件性能不稳定性的问题，进而增强量子点激光器的发射性能及其稳定性。本发明提出的全无机量子点激光器的制备方有利于促进量子点微型激光器件走向实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无机 半导体 量子 激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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