[发明专利]一种掺杂碳化硅晶须的硅酸盐粉体材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110795129.6 申请日: 2021-07-14
公开(公告)号: CN115611622A 公开(公告)日: 2023-01-17
发明(设计)人: 王超会;王佳宁;王春圻 申请(专利权)人: 齐齐哈尔大学
主分类号: C04B35/16 分类号: C04B35/16;C04B35/50;C04B35/626;C04B35/80;C04B35/622
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地址: 161006 黑*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明涉及一种掺杂碳化硅晶须的硅酸盐粉体材料的制备方法。步骤如下:按比例称量Yb2O3、SiO2与SiC晶须粉末,按顺序将Yb2O3、SiO2加入球磨机中球磨4小时;将SiC晶须与水混合并超声10min,以使晶须完全分散;将分散好的晶须与球磨后的浆料均匀混合进行喷雾干燥以将三种原料团聚在一起;把得到的粉体在100℃下于干燥箱中烘干24小时,除去残余的少量水分;烘干后将样品置于坩埚中放入真空钨丝烧结炉中,分别在1000℃、1100℃、1200℃、1300℃下烧结,结束后随炉冷却至室温,得到掺杂SiC晶须的环境障涂层材料粉末。本发明制备方法简单、成本低、所得产品纯度高,未经球磨直接分散的处理方法和真空烧结的环境能保证晶须结构的完整,添加的晶须能起到增韧作用,提高涂层的韧性和寿命。
搜索关键词: 一种 掺杂 碳化硅 硅酸盐 材料 制备 方法
【主权项】:
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