[发明专利]一种掺杂碳化硅晶须的硅酸盐粉体材料的制备方法

权利要求书

1.一种掺杂碳化硅晶须的硅酸盐粉体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)取Yb₂O₃、SiO₂纳米粉末和SiC晶须按比例进行称量，将去离子水、研磨介质、Yb₂O₃、SiO₂和分散剂按顺序依次加入球磨罐中球磨4小时。

(2)将球磨后的介质与浆料分开，得到混合均匀的浆料。并将预先称量好的SiC晶须分散于去离子水中，超声10min。

(3)将晶须与步骤(2)中获得的浆料混合均匀，转移至喷雾干燥机中进行颗粒之间的团聚。

(4)对所得的团聚粉末在100℃下干燥24小时。

(5)将干燥后的粉末以真空烧结的方式在1000℃、1100℃、1200℃、1300℃下进行烧结，反应结束后采用随炉冷却的方式冷却至室温，最终得到掺杂SiC晶须的Yb₂Si₂O₇粉体。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于SiC晶须的质量为总物料量的2％。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于研磨介质为氧化锆球，分散剂为PVA。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤1中，水与混合粉体的质量比为2.5:1，PVA为粉体质量的0.3％。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤1中，喷雾干燥过程的参数设置为：进口温度250℃，出口温度130℃，蠕动泵转速65rpm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于烧结的升温过程设置为：以5℃/min的速率从室温升温至500℃，在500℃保温1小时，再以5℃/min的速率升温至最终烧结温度，并在此温度下保温2小时。