[发明专利]半导体器件形成阵列圆形孔的制备方法在审
| 申请号： | 202110794376.4 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN115621122A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 王景皓;辛欣 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件形成阵列圆形孔的制备方法，包括：提供一基底，并于基底表面形成堆叠层、掩膜层和第一牺牲层；在第一牺牲层上形成具有呈阵列排布的第一圆形开口的第一光阻层；沿第一圆形开口向下刻蚀第一牺牲层和掩膜层；形成第二牺牲层；在第二牺牲层上形成第二光阻层，第二光阻层上选择性地形成呈阵列排布的第二圆形开口，以使任意一个第二圆形开口位于与其相邻的任意两个第一圆形开口连线的中垂线上；沿第二圆形开口向下刻蚀第二牺牲层和掩膜层，以第一掩膜图案和第二掩膜图案为掩膜向下刻蚀堆叠层，以在堆叠层内形成阵列圆形孔。根据本发明实施例的制备方法，能够形成避免相邻电容孔之间的相互干扰和影响，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 阵列 圆形 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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