[发明专利]存储装置、制备方法及电子设备在审
| 申请号： | 202110792259.4 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113555369A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 王涛;何崇来 | 申请（专利权）人： | 维沃移动通信有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 吴秀娥 |
| 地址： | 523863 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种存储装置、制备方法及电子设备，包括第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆，所述第三晶圆包括控制单元；所述第一晶圆包括第一存储单元组，所述第一存储单元组包括多个第一存储单元，所述第一存储单元通过对应的第一字线与所述控制单元连接，所述第一控制单元包括第一沟道柱；所述第二晶圆包括第二存储单元组，所述第二存储单元组包括多个第二存储单元，所述第二存储单元通过对应的第二字线与所述控制单元连接，所述第二控制单元包括第二沟通柱。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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