[发明专利]锡氧化物薄膜及其制备方法、太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 202110790590.2 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113481485B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 林京洋;吴文政;何颜玲 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H10K30/82 | 分类号： | H10K30/82;H10K30/40;H10K30/50;H10K71/00;H10K99/00;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李美 |
| 地址： | 518055 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锡氧化物薄膜及其制备方法、太阳能电池及其制备方法。上述锡氧化物薄膜的制备方法包括如下步骤：将衬底置于原子层气相沉积反应室内，进行如下步骤：步骤A：先通入氧源0.005s～0.015s，再通入保护气体15s～30s，然后抽真空15s～30s；步骤B：先通入锡源0.65s～1s，再通入保护气体20s～30s，然后抽真空20s～30s；以步骤A和步骤B为一个周期，重复15次～200次，得到锡氧化物薄膜。上述锡氧化物薄膜的制备方法能够得到兼具适宜的功函数、导电性好和透过率高的锡氧化物薄膜，能够用于ITO电极和电子传输层之间，提高太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜 及其 制备 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】：
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