[发明专利]锡氧化物薄膜及其制备方法、太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种锡氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，将衬底置于原子层气相沉积反应室内，进行如下步骤：

步骤A：先通入氧源0.005s～0.015s，再通入保护气体15s～30s，然后抽真空15s～30s；

步骤B：先通入锡源0.65s～1s，再通入保护气体20s～30s，然后抽真空20s～30s；

以步骤A和步骤B为一个周期，重复15次～200次，得到锡氧化物薄膜；

所述锡氧化物薄膜的厚度为1nm～10nm；

在一个周期内，通入锡源的时间与通入氧源的时间的比为66～130。

2.根据权利要求1所述的锡氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述锡源为四(二甲氨基)锡，所述氧源为水或臭氧，所述保护气体为氮气或惰性气体。

3.根据权利要求1所述的锡氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧源的温度为10℃～30℃，所述锡源的温度为60℃～70℃，所述衬底的温度为80℃～120℃。

4.根据权利要求1～3任一项所述的锡氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，且所述锡氧化物薄膜中，Sn和O的化学计量比小于1/2。

5.一种锡氧化物薄膜，其特征在于，由权利要求1～4任一项所述的锡氧化物薄膜的制备方法制备得到。

6.一种太阳能电池，其特征在于，包括ITO电极、过渡层、电子传输层、吸光层、空穴传输层和阴极；

所述过渡层设置在所述ITO电极和所述电子传输层之间，所述过渡层为权利要求5所述的锡氧化物薄膜；

所述吸光层设置在所述电子传输层远离所述ITO电极的一侧，所述空穴传输层设置在所述吸光层远离所述ITO电极的一侧，所述阴极设置在所述空穴传输层远离所述ITO电极的一侧；

其中，所述电子传输层的材料为二氧化锡量子点，形成所述电子传输层的步骤包括：

将氯化锡溶解在乙二醇中，然后调节pH为1～7，制备前驱体；

将所述前驱体在200℃-300℃下退火1h，制备二氧化锡量子点；

将所述二氧化锡量子点分散在碱性溶液中，制备分散液；

将所述分散液旋涂在所述过渡层上，然后在180℃退火处理30min，形成电子传输层；或者，

所述电子传输层的材料为二氧化锡纳米粉末，形成所述电子传输层的步骤包括；将二氧化锡纳米粉末与酒精混合后，旋涂在所述过渡层上，然后在180℃退火处理30min，形成电子传输层。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述吸光层的材料为Cs_0.05FA_xMA_1-xPb(I_xBr_1-x)₃钙钛矿材料，x的值为0.75～0.85；

所述空穴传输层的材料为掺杂的Spiro-OMeTAD，其中掺杂材料为tBP、Li-FTSI及FK209；

所述阴极为金属电极。

8.根据权利要求6或7所述的太阳能电池，其特征在于，还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述空穴传输层和所述阴极之间，所述缓冲层的材料为MoO_y，y的取值为2～3。