[发明专利]一种异质结红外光电传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110779666.1 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113675292A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张洪宾;陆佳俊;佀国翔;吕绍艳;程瑞杉;徐彦彩;李娇;孙硕齐 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 朱忠范 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种异质结红外光电传感器及其制备方法，采用基于Cu/SnSe/Ge/In‑Ga的异质结的光电传感器；将SnSe/Ge的异质结作为光吸收活性层，在SnSe/Ge的异质结的界面处形成电场；将Cu的微栅格结构作为顶电极，与SnSe的晶体薄膜形成欧姆接触；将In‑Ga合金或In的晶体薄膜作为底电极，与Ge的晶体基片形成欧姆接触。在红外光的照射下实现红外光学信号到电学信号的转换，实现对红外光的快速识别，同时，能够感知微弱的光信号，解决目前红外传感器件普遍存在的较小光电流和较大暗电流的难题，进而提高了红外传感器识别的灵敏度和探测度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 红外光 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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