[发明专利]一种聚芳硫醚砜基低介电常数膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110779119.3 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113429789A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 卫志美;朱传人;杨杰;王孝军;龙盛如;张刚 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C08L81/06 | 分类号： | C08L81/06;C08J5/18 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 刘文娟 |
| 地址： | 610065 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种低介电常数聚芳硫醚砜基膜及其制备方法，属于高分子膜领域。本发明提供一种聚芳硫醚砜基低介电常数膜的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1)制备聚芳硫醚砜及其衍生物的溶液；2)预处理；3)定型成膜；4)后处理。本发明以聚芳硫醚砜及其衍生物为基材，通过预处理、定型和后处理，制得了一种聚芳硫醚砜基低介电常数膜，所得膜具有较低的介电常数(介电常数在1.8～2.9)、较低的介电损耗(介电损耗为10 |
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| 搜索关键词： | 一种 聚芳硫醚砜基低 介电常数 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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