[发明专利]一种片内阵列微流柱散热结构氮化镓功率器件及制造方法在审
| 申请号： | 202110774488.3 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113594111A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 郭怀新;江丽红;王洪波;顾海巍;褚巍 | 申请（专利权）人： | 哈工大机器人（中山）无人装备与人工智能研究院;南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/473 | 分类号： | H01L23/473;B81C1/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 广东科信启帆知识产权代理事务所(普通合伙) 44710 | 代理人： | 吴少东 |
| 地址： | 528400 广东省中山市翠亨*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种片内阵列微流柱散热结构氮化镓功率器件及其制造方法，氮化镓功率器件自上而下依次包括器件功能层、势垒层、缓冲层和衬底层，所述衬底层中设置有阵列微流柱，所述阵列微流柱设置在有源区下面的近结区。本发明将流体散热技术引入芯片内部，实现了近结区的高效散热能力，解决了大功率氮化镓器件有源区热积累；相比传统的氮化镓器件，其功率密度可提升数倍以上，极大提高了器件最大输出功率，并维持较高的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 微流柱 散热 结构 氮化 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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