[发明专利]一种基于平面纳米线沟道的高线性HEMT器件及制备方法在审
| 申请号： | 202110769587.2 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113594226A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;刘思佳;宓珉瀚;王鹏飞;张濛;侯斌;杨凌;周雨威 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于平面纳米线沟道的高线性HEMT器件及制备方法，该高线性HEMT器件包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层上；源电极，位于缓冲层的一端；漏电极，位于缓冲层的另一端；势垒层，位于缓冲层上，且位于源电极和漏电极之间，其中，势垒层上设置有沿栅宽方向间隔排列的由离子注入形成的若干纳米线结构，若干纳米线结构与未注入区域具有不同的栅控能力以形成不同的阈值电压；栅电极，位于势垒层上且位于若干纳米线结构上。本实施例通过离子注入形成沿栅宽方向间隔排列的纳米线结构，可以形成不同的阈值电压，因此按照特定的结构参数将器件并联，能够实现器件多阈值耦合，使器件沿栅宽方向逐步开启，进而改善器件的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 平面 纳米 沟道 线性 hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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