[发明专利]导电图案结构及其制备方法与图案化的基底有效
| 申请号： | 202110765342.2 | 申请日： | 2021-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN113539811B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 张良静;王萌;张智滔;龙嘉钊;陈皓弘 | 申请（专利权）人： | 深圳技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;C09D11/52 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 畅文芬 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种导电图案结构及其制备方法与图案化的基底。在导电图案结构的制备方法中，通过飞秒激光扫描基底表面，使基底表面形成高精度的预设三维图案，再以高精度的预设三维图案制备导电图案结构，可以提高导电图案结构的精度；同时在飞秒激光扫描过程中会使基底由平整表面转变为粗糙表面，有利于提高导电墨水在基底上的润湿性，从而有利于导电墨水铺展于所述图案化的基底表面上，提高导电图案结构的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 图案 结构 及其 制备 方法 基底 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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