[发明专利]导电图案结构及其制备方法与图案化的基底有效
申请号: | 202110765342.2 | 申请日: | 2021-07-06 |
公开(公告)号: | CN113539811B | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 张良静;王萌;张智滔;龙嘉钊;陈皓弘 | 申请(专利权)人: | 深圳技术大学 |
主分类号: | H01L21/288 | 分类号: | H01L21/288;C09D11/52 |
代理公司: | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人: | 畅文芬 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 图案 结构 及其 制备 方法 基底 | ||
本申请公开一种导电图案结构及其制备方法与图案化的基底。在导电图案结构的制备方法中,通过飞秒激光扫描基底表面,使基底表面形成高精度的预设三维图案,再以高精度的预设三维图案制备导电图案结构,可以提高导电图案结构的精度;同时在飞秒激光扫描过程中会使基底由平整表面转变为粗糙表面,有利于提高导电墨水在基底上的润湿性,从而有利于导电墨水铺展于所述图案化的基底表面上,提高导电图案结构的良率。
技术领域
本申请涉及导电图案技术领域,具体涉及一种导电图案结构及其制备方法与图案化的基底。
背景技术
自导电聚合物出现以来,其优良的性质在学术界和商业界引起了广泛关注。导电聚合物是一种通过掺杂物质而使导电率大幅度提高、具有优异的机械柔性且可具备其他性质的聚合物,其兼有聚合物和金属特性。因为导电聚合物容易加工、易于合成、具有良好的稳定性、制作成本低且机械柔性好等优点。因此,研究人员希望通过导电聚合物制备的电路能够代替金属氧化物电路,以改善金属氧化物制成的电路的延展性较差,容易发生断裂的问题。
通常,导电聚合物需要制作成导电图案结构,再运用于显示器件、存储器件、集成电路、高敏度传感器等电子设备中。目前,导电图案结构多采用基底镀膜或光刻的方式进行制备,存在制备的成品精度不高的问题。
发明内容
基于此,为了解决或改善现有技术的问题,本申请提供一种导电图案结构及其制备方法与图案化的基底,可以提高导电图案结构的精度。
第一方面,提供一种导电图案结构的制备方法,其中,包括:
提供基底;
在所述基底表面的第一预设区域和第二预设区域分别进行第一飞秒激光扫描和第二飞秒激光扫描,在基底表面形成预设三维图案,得到图案化的基底;
将导电墨水铺展于所述图案化的基底表面上,固化后形成导电图案结构。
其中的一个实施方式中,所述在所述基底表面的第一预设区域和第二预设区域分别进行第一飞秒激光扫描和第二飞秒激光扫描包括:
将所述基底表面预先划分为第一预设区域和第二预设区域;
对所述第一预设区域进行所述第一飞秒激光扫描,未被第一飞秒激光扫描到的所述基底表面区域为第二预设区域,所述第二预设区域向所述基底的外侧凸出形成预设三维图案;
对所述第二预设区域进行所述第二飞秒激光扫描,使所述第二预设区域相对所述第一预设区域向所述基底的外侧凸出形成预设三维图案,其中,第一飞秒激光扫描的扫描次数大于第二飞秒激光扫描的扫描次数。
其中的一个实施方式中,所述将导电墨水铺展于所述图案化的基底表面上包括:
提供导电墨水;
将导电墨水置于在所述图案化的基底表面的预设位置,经过预设时间后导电墨水铺展于所述图案化的基底表面上;
其中,所述图案化的基底表面的形状为矩形或圆形,所述预设位置为所述图案化的基底表面的中心位置。
其中的一个实施方式中,所述导电墨水的制备方法包括:
提供聚(3,4~乙烯二氧噻吩)与聚苯乙烯磺酸盐的水溶液;
向所述水溶液中添加二甲基亚砜,得到半成的配制溶液,其中,所述半成的配制溶液中二甲基亚砜的质量百分数为1%~10%;
再将所述半成的配制溶液与水按质量比1:0.5~2进行混合,超声分散10~20分钟之后,得到所述导电墨水。
其中的一个实施方式中,所述固化后形成导电图案结构包括:
将铺展有所述导电墨水的基底置于90~120℃环境6~10分钟,使所述导电墨水固化形成导电图案结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳技术大学,未经深圳技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110765342.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造