[发明专利]基于半极性超晶格结构的宽波段紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于半极性超晶格结构的宽波段紫外探测器及其制备方法，所述紫外探测器包括衬底、生长在衬底上的薄膜层、淀积在薄膜层的掩膜层、以及生长在掩膜层上的光吸收层、以及复合于光吸收层上的电极层；所述光吸收层为半极性AlInGaN超晶格材料。本发明将低缺陷密度的半极性AlxGa1‑xN/InyGa1‑yN超晶格结构成功应用于紫外探测器吸收层，同时可以通过精确调节金属Al、In金属元素组分x和y，使AlxInyGa1‑x‑yN超晶格材料带隙宽度在3.4～6.2eV范围连续可调，对应的响应波长范围处于200～365nm。本发明的紫外探测器能够兼顾降低材料缺陷密度和极化效应，结合金属叉指结构电极工艺，能有效提高光生载流子收集效率，在降低器件暗电流的同时，显著提高响应度和响应速度。