[发明专利]一种MOSFET器件结构及制造方法在审
| 申请号： | 202110758746.9 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113506828A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 习毓;丁文华;陈骞;单长玲;刘英;郝艺锦;李朴 | 申请（专利权）人： | 西安卫光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 贺小停 |
| 地址： | 710065 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MOSFET器件结构及其制造方法，包括N+衬底1、N‑外延层2、P‑body扩散窗口3、N+JFET扩散窗口4、栅介质层5、栅极多晶硅6、源N+扩散窗口7、源P+扩散窗口8和栅源隔离层9；本发明涉及一种优化的MOSFET设计和制造方法，在版图、工艺条件和产品静态参数基本不变的情况下，采用MOSFET新结构可以使开关参数降低17％～23.8％；在版图不变的情况下，采用外延穿通的设计方法，可以使高压MOSFET的导通电阻降低12.5％～27.6％；在版图和其他工艺条件基本不变的情况下，采用图1新结构中“4.N+JFET扩散窗口”进行局部JFET注入，可以使低压MOSFET的导通电阻降低11.3％～25.4％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安卫光科技有限公司，未经西安卫光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110758746.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：垃圾处理用具有金属清除的输送装置及其收集方法
- 下一篇：时效预校准方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
