[发明专利]芯片封装结构的形成方法在审

专利信息
申请号: 202110751187.9 申请日: 2021-07-02
公开(公告)号: CN113571461A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 谭富耀;谢雷 申请(专利权)人: 矽磐微电子(重庆)有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/67;H01L21/56;H01L21/78;H01L21/60
代理公司: 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 代理人: 张相钦
地址: 401331 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明提供了一种芯片封装结构的形成方法,包括:提供承载于可拉伸层的多个裸片,各个裸片在可拉伸层上的排布保持晶圆切割后的排布;拉伸可拉伸层至相邻裸片之间的距离为预设距离;将拉伸后的可拉伸层以及所承载的各个裸片整体转移至载板;去除拉伸后的可拉伸层;在载板上形成塑封层,以包覆各个裸片;去除载板,在各个裸片的活性面与塑封层上形成电连接结构;切割形成多个芯片封装结构,每个芯片封装结构至少包括一个裸片。根据本发明的实施例,1)利用可拉伸层可将晶圆切割后的多个裸片一次完成转移,贴装效率高;不需要芯片装贴设备,贴装成本低。2)转移至载板的裸片保留了晶圆原本的布局,可使用简单的良率测试技术进行不良追溯。
搜索关键词: 芯片 封装 结构 形成 方法
【主权项】:
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