[发明专利]读出电路结构在审
| 申请号： | 202110750205.1 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN115565562A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 池性洙;金书延;张凤琴 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C7/12 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种读出电路结构，设置在存储阵列的间隙中，包括：读写转换电路；第一感测放大电路和第二感测放大电路，对称设置在读写转换电路相对两侧，其中，第一感测放大电路通过第一位线耦合相邻存储阵列中的一存储阵列，通过第一互补位线耦合相邻存储阵列中的另一存储阵列，第二感测放大电路通过第二位线耦合相邻存储阵列中的一存储阵列，通过第二互补位线耦合相邻存储阵列中的另一存储阵列；第一均衡管，源极或漏极的其中一者连接第一位线或第一互补位线；第二均衡管，源极或漏极的其中一者连接第二位线或第二互补位线；其中，第一均衡管和第二均衡管对称设置在读写转换电路的相对两侧，以解决存储器预充电速度慢的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 读出 电路 结构 | ||
【主权项】：
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