[发明专利]读出电路结构在审

专利信息
申请号: 202110750205.1 申请日: 2021-07-02
公开(公告)号: CN115565562A 公开(公告)日: 2023-01-03
发明(设计)人: 池性洙;金书延;张凤琴 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C7/12
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 读出 电路 结构
【权利要求书】:

1.一种读出电路结构,设置在相邻存储阵列的间隙中,其特征在于,包括:

读写转换电路,用于将外部数据写入所述存储阵列的存储单元中,或将所述存储单元中的数据读出;

第一感测放大电路和第二感测放大电路,对称设置在所述读写转换电路相对两侧,用于感测所述存储单元的电压并输出对应于所述电压的逻辑1或0,其中,所述第一感测放大电路通过第一位线耦合相邻存储阵列中的一存储阵列,通过第一互补位线耦合相邻存储阵列中的另一存储阵列,所述第二感测放大电路通过第二位线耦合相邻存储阵列中的一存储阵列,通过第二互补位线耦合相邻存储阵列中的另一存储阵列;

第一均衡管,源极或漏极的其中一者连接所述第一位线或所述第一互补位线,用于根据均衡信号,预充所述第一位线的电压或预充所述第一互补位线的电压至预设电压;

第二均衡管,源极或漏极的其中一者连接所述第二位线或所述第二互补位线,用于根据所述均衡信号,预充所述第二位线的电压或预充所述第二互补位线的电压至预设电压;

其中,所述第一均衡管和所述第二均衡管对称设置在所述读写转换电路的相对两侧。

2.根据权利要求1所述的读出电路结构,其特征在于,包括:

所述第一均衡管源极或漏极的其中一者连接所述第一位线,所述第一均衡管设置在所述第一感测放大电路远离所述读写转换电路的一侧;

所述第二均衡管源极或漏极的其中一者连接所述第二互补位线,所述第二均衡管设置在所述第二感测放大电路远离所述读写转换电路的一侧。

3.根据权利要求2所述的读出电路结构,其特征在于,所述均衡信号包括第一均衡信号和第二均衡信号,所述预设电压包括第一预充电电压和第二预充电电压;

所述第一均衡管,栅极用于接收所述第一均衡信号,源极或漏极的其中一者用于接收所述第一预充电电压,另一者连接所述第一位线;

所述第二均衡管,栅极用于接收所述第二均衡信号,源极或漏极的其中一者用于接收所述第二预充电电压,另一者连接所述第二互补位线。

4.根据权利要求1所述的读出电路结构,其特征在于,包括:

所述第一均衡管源极或漏极的其中一者连接所述第一互补位线,所述第一均衡管设置在所述第一感测放大电路和所述读写转换电路之间;

所述第二均衡管源极或漏极的其中一者连接所述第二位线,所述第二均衡管设置在所述第二感测放大电路和所述读写转换电路之间。

5.根据权利要求4所述的读出电路结构,其特征在于,所述均衡信号包括第一均衡信号和第二均衡信号,所述预设电压包括第一预充电电压和第二预充电电压;

所述第一均衡管,栅极用于接收所述第二均衡信号,源极或漏极的其中一者用于接收所述第二预充电电压,另一者连接所述第一互补位线;

所述第二均衡管,栅极用于接收所述第一均衡信号,源极或漏极的其中一者用于接收所述第一预充电电压,另一者连接所述第二位线。

6.根据权利要求4所述的读出电路结构,其特征在于,所述第一互补位线穿过所述第二感测放大电路所在区域与所述第一感测放大电路耦合,且不与所述第二感测放大电路电连接;所述第二位线穿过所述第一感测放大电路所在区域与所述第二感测放大电路耦合,且不与所述第一感测放大电路电连接。

7.根据权利要求3或5所述的读出电路结构,其特征在于,所述第一均衡信号和所述第二均衡信号为同一均衡信号。

8.根据权利要求7所述的读出电路结构,其特征在于,所述第一预充电电压和所述第二预充电电压为同一预充电电压。

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