[发明专利]一种氮掺杂碳包覆多孔硅的制备方法有效
| 申请号： | 202110750168.4 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113461015B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 冯金奎;安永灵;田园 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C01B32/05;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;H01M10/058 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王志坤 |
| 地址： | 250061 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本公开涉及多孔硅制备技术领域，具体为一种氮掺杂碳包覆多孔硅的制备方法，包括：以硅镁合金为前驱体，与氮化碳混合后在惰性气氛或真空条件下进行第一次热处理，然后继续升温，在惰性气氛或真空条件下进行第二次热处理即可；或，以硅镁合金为前驱体，与氮化碳混合后在惰性气氛或真空条件下进行热处理，然后将中间产物在酸中处理，干燥后即可得到氮掺杂碳包覆多孔硅。该方法能够有效提高碳包覆层与硅之间的结合力，提高多孔硅负极材料的电化学稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 碳包覆 多孔 制备 方法 | ||
【主权项】：
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