[发明专利]一种准确控制IGBT峰值电压改善开关特性的栅极驱动方法有效

专利信息
申请号: 202110746404.5 申请日: 2021-07-01
公开(公告)号: CN113411076B 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 赵争鸣;凌亚涛;姬世奇;萧艺康 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567;H03K17/04
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 张文宝
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了属于电力电子技术领域的一种准确控制IGBT峰值电压改善开关特性的栅极驱动方法,首先通过峰值电压检测与数字化电路来准确采样到每次关断瞬态IGBT端电压峰值,再将其数字化,得到了与实际峰值电压vPK成确定比例关系的数字量,最后将该数字量输出到驱动板上现场可编程逻辑门阵列FPGA;FPGA芯片将该数字量与参考值Vref对应的数字量作比例‑积分PI运算,产生PI调节器所得的IGBT关断瞬态diC/d t阶段的驱动电压,并在关断瞬态diC/d t阶段施加到IGBT栅极;本发明实现不同负载电流下对vPK的控制和更低的关断延迟和关断损耗;且适应工况变化的;这种控制方法比已有的vPK控制方法的精度都高。
搜索关键词: 一种 准确 控制 igbt 峰值 电压 改善 开关 特性 栅极 驱动 方法
【主权项】:
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