[发明专利]一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110742876.3 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113483925A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 武斌;许克宇 | 申请（专利权）人： | 深圳市美思先端电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;G01L9/04;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉红果 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公明街道塘家社区观*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，其中，压力传感器包括具有线性渐变梁膜结构的硅应变膜、压敏电阻、重掺杂接触区域，金属引线，所述硅应变膜为硅衬底的正面经过腐蚀工艺并键合硅片层所形成的，所述压敏电阻位于梁膜结构的端部，所述金属引线和重掺杂接触区在硅应变梁膜的正面形成欧姆接触。本发明通过采用在硅衬底的正面设置具有线性渐变的梁膜结构、压敏电阻、重掺杂接触区以及金属引线并键合硅片所形成的压阻式压力传感器，使得通过调节渐变梁结构的线性变化比例，达到提高压力传感器线性度的目的，以及通过调整压敏电阻与渐变梁结构之间的尺寸大小，实现提高灵敏度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压阻式 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市美思先端电子有限公司，未经深圳市美思先端电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110742876.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
