[发明专利]齐纳二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 202110737519.8 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115548129A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 金华俊;宋亮;史一凡 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L21/328 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种齐纳二极管及其制作方法，包括：于衬底上形成电场阻挡层；于衬底上形成图形掩膜，图形掩膜具有显露部分电场阻挡层的第一窗口；去除第一窗口内的电场阻挡层；于衬底中形成第一导电类型掺杂区及第二导电类型掺杂区；于第一窗口的侧壁形成侧墙结构，以将第一窗口限制为第二窗口；基于第二窗口进行第一导电类型离子注入，以在第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区之间自对准形成第一导电类型连接区，其中，第一导电类型连接区的掺杂浓度大于第一导电类型掺杂区的掺杂浓度。本发明工艺稳定且成本较低，且能有效避免PN结的弧面结电场的剧增，从而通过局部增加PN结的平面结区域的浓度，可有效降低击穿电压，获得更好的击穿特性。 | ||
| 搜索关键词： | 齐纳二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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