[发明专利]存储器器件及其预充电操作的方法在审

专利信息
申请号: 202110734825.6 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN113870915A 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 王博昇;林洋绪;李政宏 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C8/08 分类号: G11C8/08;G11C7/12
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本公开描述了具有预充电电路的存储器件的实施例。存储器器件可以包括存储器单元,并且预充电电路可以包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极端子,耦接到参考电压的第一源极/漏极(S/D)端子以及耦接到存储器单元的第一端子的第二S/D端子。第二晶体管包括第二栅极端子,耦接到参考电压的第三S/D端子以及耦接到存储器单元的第二端子的第四S/D端子。第一和第二晶体管被配置为响应于分别将控制信号施加到第一和第二栅极端子而使参考电压通过。本发明的实施例还涉及存储器器件及其预充电操作的方法。
搜索关键词: 存储器 器件 及其 充电 操作 方法
【主权项】:
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