[发明专利]扇出型封装填埋方法在审
| 申请号： | 202110732564.4 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113629005A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王玮;韩笑 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 王志红 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及芯片封装技术领域，具体公开了一种扇出型封装填埋方法，包括以下步骤：步骤S12：将待封装芯片埋入扇出基板的凹槽内，在所述芯片的上表面、所述芯片的侧面与所述凹槽的侧壁之间的间隙沉积派瑞林介质层；步骤S13：在所述派瑞林介质层上形成金属层；步骤S14：以金属层为掩膜，利用双大马士革镶嵌工艺；依次重复步骤S13‑S14n次，在所述派瑞林介质层内形成n层布线，其中，n≥1，每一层布线均与所述芯片上不同位置处的焊盘或与所述扇出基板不同位置连接。本发明的派瑞林介质层填充缝隙效果好，内部基本不会产生气泡和空腔，并且表面平整度高，工艺稳定性高，工艺兼容性好，也可以降低布线层应力。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型封 装填 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110732564.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
