[发明专利]扇出型封装填埋方法

权利要求书

1.一种扇出型封装填埋方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S12：将待封装芯片埋入扇出基板的凹槽内，在所述芯片的上表面、所述芯片的侧面与所述凹槽的侧壁之间的间隙沉积派瑞林介质层；

步骤S13：在所述派瑞林介质层上形成金属层；

步骤S14：以金属层为掩膜，利用双大马士革镶嵌工艺；

依次重复步骤S13-S14 n次，在所述派瑞林介质层内形成n层布线，其中，n≥1，每一层布线均与所述芯片上不同位置处的焊盘或与所述扇出基板不同位置连接。

2.如权利要求1所述的扇出型封装填埋方法，其特征在于，步骤S14包括以下步骤：

在所述金属层表面刻蚀开孔，所述开孔的位置与所述芯片的焊盘位置或所述扇出基板上待连接的位置对应；

以所述金属层为掩膜刻蚀所述派瑞林介质层，且刻蚀深度小于所述派瑞林介质层的厚度；

在所述金属层的表面刻蚀形成布线图形，所述布线图形与所述开孔连通；

以所述金属层为掩膜再次刻蚀所述派瑞林介质层，直至暴露所述开孔位置对应的芯片表面，以在所述派瑞林介质层内形成布线沟槽；

去除所述金属层；

在所述布线沟槽的内表面形成金属种子层，并在所述布线沟槽内填充金属，平坦化处理，形成一层布线。

3.如权利要求1所述的扇出型封装填埋方法，其特征在于，两次刻蚀所述派瑞林介质层的总深度不小于所述派瑞林介质层的厚度。

4.如权利要求1所述的扇出型封装填埋方法，其特征在于，

所述派瑞林介质层的制备原料为对二甲苯环二体及其氯化物，所述派瑞林介质层的制备方法为真空气相沉积。

5.如权利要求1所述的扇出型封装填埋方法，其特征在于，所述派瑞林介质层选自派瑞林-N、派瑞林-C、派瑞林-D、派瑞林-AF4中的一种或多种混合。

6.如权利要求1所述的扇出型封装填埋方法，其特征在于，

将待封装芯片埋入所述硅基板的凹槽内的步骤包括：

使用有机粘合材料将所述芯片固定在所述凹槽内，且所述芯片的焊片面朝外。

7.如权利要求1所述的扇出型封装填埋方法，其特征在于，所述凹槽的数量不小于一个，每个凹槽内埋入至少一个芯片。

8.如权利要求1所述的扇出型封装填埋方法，其特征在于，所述金属层由派瑞林选择比高的金属制成，所述金属层的厚度不大于1μm。

9.如权利要求8所述的扇出型封装填埋方法，其特征在于，所述金属层的材质选自Ti、Al或Ta，利用刻蚀或者腐蚀的工艺去除所述金属层。

10.如权利要求1-9任一项所述的扇出型封装填埋方法，其特征在于，所述金属种子层及布线沟槽内填充的金属的材质选自Cu、Al、Ti、Au、Ag、Pt、Ni、Cr以及Zn的任一种。