[发明专利]一种硼氮共掺杂金刚石纳米片/掺硼金刚石薄膜及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202110722632.9 申请日: 2021-06-29
公开(公告)号: CN113445022B 公开(公告)日: 2022-10-25
发明(设计)人: 李翠平;聂万里;李明吉;李红姬 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: C23C16/22 分类号: C23C16/22;C23C16/28;C23C16/44
代理公司: 天津赛凌知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12270 代理人: 李蕊
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供了一种硼氮共掺杂金刚石纳米片/掺硼金刚石薄膜及其制备方法和应用,所述制备方法包括以下步骤:步骤1,对衬底进行打磨、清洗、干燥,置于金刚石微纳粉末的悬浊液中,使金刚石微纳颗粒在衬底表面形核;步骤2,将经过步骤1处理的衬底置于密闭的反应腔室,甲烷、硼源及氢气构成的混合气氛,达到预定温度时,反应室中气体分解或放电,同时在电磁场作用下,在基底上生长出掺硼金刚石薄膜;步骤3,以甲烷为原材料,同时向反应腔室内引入氮源和硼源,掺硼金刚石薄膜为基底外延生长硼氮共掺杂金刚石纳米片。本发明的硼氮共掺杂金刚石纳米片/掺硼金刚石薄膜在高功率密度和超快速充放电上表现出优异的性能。
搜索关键词: 一种 硼氮共 掺杂 金刚石 纳米 薄膜 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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