[发明专利]具有MOM电容的半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110721398.8 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN115602626A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 王文博 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有MOM电容的半导体器件及其制备方法。方法包括步骤：提供衬底，于衬底内形成导电插塞；于衬底上形成绝缘层；对绝缘层进行光刻刻蚀，以形成多个间隔分布的第一沟槽，第一沟槽显露出导电插塞；于第一沟槽内填充第一金属层，第一金属层与导电插塞电连接；去除位于MOM电容区域的绝缘层以形成位于第一金属层之间的多个第二沟槽，第二沟槽显露出所述衬底，MOM电容区域位于导电插塞的一侧；形成高K介质层，高K介质层自第二沟槽的底部向外延伸至第一金属层及导电插塞的表面；形成第二金属层填充第二沟槽的剩余空间；形成电引出层。本发明有助于形成高密度、高精确度的MOM电容，有助于器件的小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 mom 电容 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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