[发明专利]聚合物半导体薄膜及其制备方法、气体传感器有效
| 申请号： | 202110720204.2 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113429605B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;谭昊天;吴小晗;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08G61/12;C08L65/00;C23C16/455;G01N27/00 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种聚合物半导体薄膜的制备方法，包括步骤：S0：将衬底放入原子层沉积设备的反应腔体中；S1：向所述反应腔体中通入第一混合反应气体，所述第一混合反应气体包括第一前驱体；S2：向所述反应腔体中通入第二混合反应气体，所述第二混合反应气体包括第二前驱体，使所述第一前驱体与所述第二前驱体反应生成聚合物；S3：循环交替进行所述步骤S1和所述步骤S2，直至生成的聚合物半导体薄膜达到目标薄膜厚度，使得制备的聚合物半导体薄膜厚度精确可控，可以精确到纳米级别，并且即使在小于10nm的超薄厚度下，所述聚合物半导体薄膜仍然具有连续、均匀的薄膜形貌。本发明还提供一种聚合物半导体薄膜和气体传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 半导体 薄膜 及其 制备 方法 气体 传感器 | ||
【主权项】：
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