[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110717059.2 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113437136A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 杨天应 | 申请（专利权）人： | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/778;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔熠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：在衬底上形成半导体叠层；在半导体叠层上形成源极金属、漏极金属和栅极金属；在栅极金属上形成介质层；在介质层上形成源场板，源场板位于源极金属和漏极金属之间；可以选择相对介电常数小于5的材料制作保护层，如此，结合保护层在覆盖器件上表面时也会在源场板和漏极金属之间存在，能够通过选择相对介电常数小于5的保护层来降低源场板和漏极金属之间的相对介电常数，从而减小源场板和漏极金属之间的Cds，从而提高半导体器件的漏极效率，使得半导体器件具有较佳的性能表现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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