[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110717059.2 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113437136A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 杨天应 | 申请（专利权）人： | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/778;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔熠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上形成半导体叠层；
在所述半导体叠层上形成源极金属、漏极金属和栅极金属；
在所述栅极金属上形成介质层；
在所述介质层上形成源场板，所述源场板位于所述源极金属和所述漏极金属之间；
在所述源场板上形成覆盖所述衬底的保护层，所述保护层的相对介电常数小于5。
2.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述在所述半导体叠层上形成源极金属、漏极金属和栅极金属包括：
在所述半导体叠层上形成钝化层；
刻蚀所述钝化层以分别形成源极开口和漏极开口；
在所述源极开口和所述漏极开口内蒸镀金属以分别形成与所述半导体叠层欧姆接触的所述源极金属和所述漏极金属；
刻蚀所述钝化层形成栅极槽，所述栅极槽位于所述源极金属和所述漏极金属之间；
在所述栅极槽内蒸镀金属以形成所述栅极金属。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述源极金属和所述漏极金属均包括依次形成的钛层、铝层、镍层和金层，所述栅极金属包括依次形成的镍层和金层。
4.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述保护层的相对介电常数大于3且小于4。
5.如权利要求4所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述保护层为聚酰亚胺层或聚苯并恶唑层。
6.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述在所述栅极金属上形成介质层之后，所述方法还包括：
刻蚀所述介质层以分别在所述源极金属和所述漏极金属上方打开开口；
在所述开口内蒸镀金属以分别在所述源极金属上形成源极互连金属、在所述漏极金属上形成漏极互连金属。
7.如权利要求6所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述源极互连金属和所述漏极互连金属中的顶层金属为铂层和/或钯层。
8.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述源场板中的顶层金属为铂层和/或钯层。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
设置在所述衬底上的半导体叠层；
设置在所述半导体叠层上的源极金属、漏极金属和栅极金属；
设置在所述栅极金属上的介质层；
设置在所述介质层上的源场板，所述源场板位于所述源极金属和所述漏极金属之间；
设置在所述源场板上的保护层，所述保护层覆盖所述衬底且所述保护层的相对介电常数小于5。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层的相对介电常数大于3且小于4。
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