[发明专利]一种PIN型InGaAsSb探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110704500.3 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113363341A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈星佑;陈思铭;唐明初 | 申请（专利权）人： | 湖南汇思光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 长沙市护航专利代理事务所(特殊普通合伙) 43220 | 代理人： | 莫晓齐 |
| 地址： | 410005 湖南省长沙市岳麓*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种一种PIN型InGaAsSb探测器及其制备方法，所述探测器包括自下而上依次设置的InP(001)衬底、n型InP缓冲层和下接触层、i型近晶格匹配的InGaAsSb吸收层，以及p型InP帽层和上接触层。其中，所述i型近晶格匹配的InGaAsSb吸收层中的Sb组分含量为0.001～0.01，其厚度范围为1500～3000nm，其掺杂浓度为1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 pin ingaassb 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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