[发明专利]一种快恢复二极管在审
| 申请号： | 202110704234.4 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113437158A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 朱辉;肖秀光;吕磊;潘恒 | 申请（专利权）人： | 安徽瑞迪微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱顺利 |
| 地址： | 241002 安徽省芜湖市弋江区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快恢复二极管，包括N型掺杂漂移区、重掺杂N型衬底区域以及位于N型掺杂漂移区与重掺杂N型衬底区域之间的N型掺杂缓冲层。N型掺杂缓冲层包括低掺杂电场缓冲层、电场终止层和反向恢复载流子存储层，低掺杂电场缓冲层与N型掺杂漂移区接触且低掺杂电场缓冲层的厚度较厚，低掺杂电场缓冲层的掺杂浓度高于N型掺杂漂移区的掺杂浓度；电场终止层位于低掺杂电场缓冲层和反向恢复载流子存储层之间，电场终止层的掺杂浓度高厚度薄，其掺杂浓度高于低掺杂电场缓冲层和反向恢复载流子存储层；反向恢复载流子存储层与所述重掺杂N型衬底区域接触，其浓度较低。本发明的快恢复二极管，可以降低器件在反向恢复时的过冲电压和软度影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 | ||
【主权项】：
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