[发明专利]一种快恢复二极管

权利要求书

1.一种快恢复二极管，包括N型掺杂漂移区、重掺杂N型衬底区域以及位于N型掺杂漂移区与重掺杂N型衬底区域之间的N型掺杂缓冲层，其特征在于：所述N型掺杂缓冲层包括低掺杂电场缓冲层、电场终止层和反向恢复载流子存储层，低掺杂电场缓冲层与所述N型掺杂漂移区接触，电场终止层位于低掺杂电场缓冲层和反向恢复载流子存储层之间，反向恢复载流子存储层与所述重掺杂N型衬底区域接触。

2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于：所述低掺杂电场缓冲层的掺杂浓度高于N型掺杂漂移区的掺杂浓度且低于所述电场终止层的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于：所述电场终止层的掺杂浓度高于低掺杂电场缓冲层和反向恢复载流子存储层的掺杂浓度。

4.根据权利要求3所述的快恢复二极管，其特征在于：所述电场终止层的厚度≤10um。

5.根据权利要求1至4任一所述的快恢复二极管，其特征在于：还包括正面阳极金属和设置于正面阳极金属上的正面P型掺杂结构，所述N型掺杂漂移区与正面P型掺杂结构接触，正面P型掺杂结构为P型间隔掺杂的MPS结构或整体P型掺杂。

6.根据权利要求1至4任一所述的快恢复二极管，其特征在于：还包括背面阴极金属，所述重掺杂N型衬底区域设置于背面阴极金属上。