[发明专利]晶体管和形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110696884.9 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113497156A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李泓纬;蒋国璋;马礼修;杨世海;林佑明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/34;H01L27/11587;H01L27/1159;H01L27/11592;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请的实施例提供了一种晶体管器件及其制造方法，该晶体管器件包括：衬底；字线，设置在衬底上；栅极绝缘层，设置在字线上；双层半导体沟道，包括：第一沟道层，设置在栅极绝缘层上；和第二沟道层，设置在第一沟道层上，使得第二沟道层接触第一沟道层的侧面和顶面；以及源电极和漏电极，电耦合至第二沟道层。当向字线施加电压时，第一沟道层具有第一电阻，第二沟道层具有与第一电阻不同的第二电阻。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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