[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110696336.6 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113471275B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 甘程;王欣 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李健 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：衬底，设置于衬底上的绝缘层，设置于绝缘层上的栅极，且衬底具有分别位于栅极的一侧的源区以及漏区，分别设置于源区以及漏区中的源极和漏极，以及设置于源区和漏区中的硅掺杂结构，其中，硅掺杂结构位于栅极与源极之间或位于栅极与漏极之间，由于该硅掺杂结构可以对位于栅极下方的导电沟道中的载流子的运动起到阻挡作用，使得载流子不会隧穿至栅极下方的绝缘层，同时，由于该硅掺杂结构与源极和漏极的掺杂类型不同，可以减小导电沟道中的横向电场的电场强度，进而降低了导电沟道中的载流子发生碰撞电离的概率，从而提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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