[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

衬底；

绝缘层，设置于所述衬底上；

栅极，设置于所述绝缘层上，且所述衬底具有分别位于所述栅极的一侧的源区以及漏区；

源极和漏极，分别设置于所述源区以及所述漏区中；

低掺杂结构，设置于所述源区以及所述漏区中；

硅掺杂结构，位于所述低掺杂结构中，所述硅掺杂结构与所述低掺杂结构的掺杂类型不同，且所述硅掺杂结构位于所述栅极与所述源极之间且位于所述栅极与所述漏极之间；

其中，所述栅极与所述硅掺杂结构和所述低掺杂结构在垂直于所述衬底的纵向上的投影面具有重合部分，所述硅掺杂结构与所述源极之间具有间隔且所述硅掺杂结构与所述漏极之间具有间隔。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极和所述漏极具有第一掺杂浓度，所述低掺杂结构具有第二掺杂浓度，所述第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度，且所述低掺杂结构与所述源极和所述漏极的掺杂类型相同。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述低掺杂结构与所述衬底之间形成有缓变PN结。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述硅掺杂结构与所述源极之间隔着所述低掺杂结构且所述硅掺杂结构与所述漏极之间隔着所述低掺杂结构。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第一侧墙以及第二侧墙，所述第一侧墙环绕设置于所述栅极的外表面，所述第二侧墙环绕设置于所述第一侧墙的外表面。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一侧墙以及所述第二侧墙各包括第一叠层和第二叠层，所述第二叠层设置于所述第一叠层的外表面，且所述第一叠层的材料包括氧化物，所述第二叠层的材料包括氮化物。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极和所述漏极在所述纵向上具有第一深度，所述硅掺杂结构在所述纵向上具有第二深度，所述第一深度大于所述第二深度。

8.根据权利要求1至7任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极在沿平行于所述衬底的横向上具有第一长度，所述硅掺杂结构在所述横向上具有第二长度，所述第二长度不小于所述第一长度。

9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成栅极，且所述衬底具有分别位于所述栅极的一侧的源区以及漏区；

在所述源区以及所述漏区中形成低掺杂结构；

在所述低掺杂结构中形成硅掺杂结构，其中，所述硅掺杂结构与所述低掺杂结构的掺杂类型不同，所述栅极与所述硅掺杂结构和所述低掺杂结构在垂直于所述衬底的纵向上的投影面具有重合部分；

在所述源区以及所述漏区中分别形成源极和漏极，其中，所述硅掺杂结构与所述源极之间具有间隔且所述硅掺杂结构与所述漏极之间具有间隔。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，于所述在所述绝缘层上形成栅极的步骤之后，还包括：

在所述栅极的外表面形成第一侧墙，所述第一侧墙环绕所述栅极；

其中，所述源极和所述漏极具有第一掺杂浓度，所述低掺杂结构具有第二掺杂浓度，所述第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度，且所述低掺杂结构与所述源极和所述漏极的掺杂类型相同。

11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，于所述在所述源区以及所述漏区中形成低掺杂结构的步骤之后，还包括：

对所述低掺杂结构进行退火，以使所述低掺杂结构与所述衬底之间形成缓变PN结。