[发明专利]深紫外发光二极管外延结构的生长方法和石墨盘有效
| 申请号： | 202110691678.9 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113659046B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01J37/32;C30B29/40;C30B25/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种深紫外发光二极管外延结构的生长方法和石墨盘，属于光电子制造技术领域。该生长方法包括：提供一石墨盘，所述石墨盘的表面沉积有一层隔离层，所述隔离层为二维原子晶体材料层；在所述隔离层的表面生长深紫外发光二极管的外延结构；采用胶带将位于所述隔离层的表面的残留物粘离所述石墨盘。本公开能在生长完成外延结构后对石墨盘表面的残留物进行有效清理，提高石墨盘的使用寿命，且降低清理成本。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 外延 结构 生长 方法 石墨 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110691678.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体封装结构
- 下一篇：改善外延片波长均匀性的石墨基板
