[发明专利]深紫外发光二极管外延结构的生长方法和石墨盘

说明书

本公开提供了一种深紫外发光二极管外延结构的生长方法和石墨盘，属于光电子制造技术领域。该生长方法包括：提供一石墨盘，所述石墨盘的表面沉积有一层隔离层，所述隔离层为二维原子晶体材料层；在所述隔离层的表面生长深紫外发光二极管的外延结构；采用胶带将位于所述隔离层的表面的残留物粘离所述石墨盘。本公开能在生长完成外延结构后对石墨盘表面的残留物进行有效清理，提高石墨盘的使用寿命，且降低清理成本。

技术领域

本公开涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种深紫外发光二极管外延结构的生长方法和石墨盘。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是光电子产业中极具影响力的新产品，LED的核心结构是外延片，外延片的制作对LED的光电特性有着较大的影响。外延片通常包括n型层、多量子阱层和p型层。深紫外发光二极管是发光波长在200nm至350nm的发光二极管，深紫外发光二极管的外延片中n型层通常为AlGaN层。

相关技术中，通常会采用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备进行外延片的生长。在深紫外发光二极管的外延片生长完成后，则会将外延片从石墨盘的表面取出，然而石墨盘表面往往会产生较多的AlGaN残留物，因此，通常会采用高温烘烤或者氯气刻蚀石墨盘的方法清理残留物。

然而，采用高温烘烤石墨盘的方式，清理石墨盘表面的AlGaN残留物的清理效果较差；采用氯气刻蚀法对石墨盘表面的AlGaN残留物刻蚀的方式，则存在较高的危险性，且对MOCVD设备也会造成一定损伤；采用化学腐蚀液清理残留物的方式，也容易对石墨盘造成较大的腐蚀，降低了石墨盘的使用寿命。

发明内容

本公开实施例提供了一种深紫外发光二极管外延结构的生长方法和石墨盘，能在生长完成外延结构后对石墨盘表面的残留物进行有效清理，提高石墨盘的使用寿命，且降低清理成本。所述技术方案如下：

一方面，本公开实施例提供了一种深紫外发光二极管外延结构的生长方法，所述生长方法包括：

提供一石墨盘，所述石墨盘的表面沉积有一层隔离层，所述隔离层为二维原子晶体材料层；在所述隔离层的表面生长深紫外发光二极管的外延结构；采用胶带将位于所述隔离层的表面的残留物粘离所述石墨盘。

可选地，所述隔离层为石墨烯层、硅烯层、锗烯层和六方氮化硼层中的一种。

可选地，所述提供一石墨盘之前，包括：采用化学气相沉积的方式在所述石墨盘的表面沉积所述隔离层。

可选地，所述隔离层的厚度为1μm至100μm。

可选地，所述采用胶带将位于所述隔离层的表面的残留物粘离所述石墨盘，包括：重复以下过程：将胶带粘贴在具有所述残留物的石墨盘的表面；将所述胶带从所述隔离层的表面剥离。

可选地，重复的次数为2至5次。

可选地，所述在所述隔离层的表面生长深紫外发光二极管的外延结构之前，还包括：检测所述隔离层的厚度；若所述隔离层的厚度不大于1μm，在所述石墨盘的表面重新沉积所述隔离层。

另一方面，本公开实施例提供了一种用于MOCVD设备的石墨盘，所述石墨盘包括：盘体和位于所述盘体的表面的隔离层，所述隔离层为二维原子晶体材料层。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述隔离层为石墨烯层、硅烯层、锗烯层和六方氮化硼层中的一种。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述盘体的表面设有多个间隔分布的凹槽，所述隔离层位于所述凹槽外。

本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：