[发明专利]深紫外发光二极管外延结构的生长方法和石墨盘有效
| 申请号： | 202110691678.9 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113659046B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01J37/32;C30B29/40;C30B25/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 外延 结构 生长 方法 石墨 | ||
1.一种深紫外发光二极管外延结构的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
提供一石墨盘，所述石墨盘的表面沉积有一层隔离层，所述隔离层为二维原子晶体材料层；
检测所述隔离层的厚度，若所述隔离层的厚度不大于1μm，在所述石墨盘的表面重新沉积所述隔离层；
在所述隔离层的表面生长深紫外发光二极管的外延结构；
采用胶带将位于所述隔离层的表面的残留物粘离所述石墨盘。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述隔离层为石墨烯层、硅烯层、锗烯层和六方氮化硼层中的一种。
3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述提供一石墨盘之前，包括：
采用化学气相沉积的方式在所述石墨盘的表面沉积所述隔离层。
4.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述隔离层的厚度为1μm至100μm。
5.根据权利要求1至4任一项所述的生长方法，其特征在于，所述采用胶带将位于所述隔离层的表面的残留物粘离所述石墨盘，包括：
重复以下过程：
将胶带粘贴在具有所述残留物的石墨盘的表面；
将所述胶带从所述隔离层的表面剥离。
6.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于，重复的次数为2至5次。
7.一种用于MOCVD设备的石墨盘，其特征在于，所述石墨盘适用于执行如权利要求1至6任一项所述的深紫外发光二极管外延结构的生长方法，包括：盘体（10）和位于所述盘体（10）的表面的隔离层（20），所述隔离层（20）为二维原子晶体材料层。
8.根据权利要求7所述的石墨盘，其特征在于，所述隔离层为石墨烯层、硅烯层、锗烯层和六方氮化硼层中的一种。
9.根据权利要求7所述的石墨盘，其特征在于，所述盘体（10）的表面设有多个间隔分布的凹槽（11），所述隔离层（20）位于所述凹槽（11）外。
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