[发明专利]一种倒装深紫外LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202110691398.8 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113540310A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 梁仁瓅 | 申请（专利权）人： | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/20;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 万青青 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装深紫外LED芯片及其制作方法，该倒装深紫外LED芯片包括增透层、蓝宝石衬底层、n型AlGaN层、多层量子阱有源层、p型AlGaN层以及p型GaN接触层；所述蓝宝石衬底层一侧依次层叠设置所述n型AlGaN层、多层量子阱有源层、p型AlGaN层以及p型GaN接触层，所述蓝宝石衬底层另一侧设置所述增透层；所述蓝宝石衬底层远离所述n型AlGaN层一侧经过粗化刻蚀后，沉积所述增透层。本发明通过对蓝宝石衬底层远离n型AlGaN层一侧进行粗化并沉积增透层，增加了光子逃逸几率，降低了界面全反射，从而实现了芯片光提取效率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 深紫 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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