[发明专利]用短脉冲激光产生的等离子体作用在硅表面制备PN层的方法

摘要

本发明公开了利用短脉冲激光产生的等离子体作用在硅表面制备PN结的方法，用飞秒或纳秒脉冲激光束作用硅表面，产生表面等离子层，电子跟随光频震荡浮于表面形成电子气，而惰性大的硅离子层分布在下方，通过向硅离子层注入P型掺杂形成下面的P型硅层；然后，在短脉冲激光溅射出的硅离子逐渐沉积的表层上冲入N型气体形成上面的N型硅层；最后，经高温退火形成稳定的PN结层结构。本发明采用了纯物理的过程来进行制备，属于绿色环保类型，所得的样品与现有技术相比有很多优越性，其制备流程易于运作与操控，研制出的器件效果较好，且易于进行产业化推广。