[发明专利]半导体装置及半导体存储装置在审
| 申请号： | 202110689697.8 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115117173A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 田岛光 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/108;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：氧化物半导体层；栅极电极；栅极绝缘层；第1电极及第2电极，电连接到氧化物半导体层；第1导电层，设置在氧化物半导体层与第1电极间、及氧化物半导体层与第2电极间的至少一个位置，包含选自由钛(Ti)、钒(V)、锆(Zr)、铌(Nb)及铬(Cr)所组成的群的至少一个金属元素、铝(Al)及氮(N)，且包含第1部分与第2部分，第1部分的金属元素的原子浓度高于第1部分的铝原子浓度，第2部分的铝原子浓度高于第2部分的金属元素的原子浓度；及第2导电层，设置在氧化物半导体层与第1导电层间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 存储 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司，未经铠侠股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110689697.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电梯系统
- 下一篇：一种具有抗氧化及免疫活性的苦杏仁肽及其制备方法和用途
- 同类专利
- 专利分类
