[发明专利]一种基于横向结构的雪崩二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110688273.X | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113644136A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 杨林安;胡啸林;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/864 | 分类号： | H01L29/864;H01L21/329;H01L29/205 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种基于横向结构的雪崩二极管及其制备方法，所述方法包括：按照第一生长参数，基于衬底层生长N极性GaN层；按照第二生长参数，基于所述N极性GaN层生长n型Al |
||
| 搜索关键词： | 一种 基于 横向 结构 雪崩 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110688273.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
