[发明专利]选择器装置及半导体存储装置在审
| 申请号： | 202110675361.6 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN115117238A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 张洁琼;吉川将寿;大坊忠臣 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供能够提高选择器层的热约束效应而改善特性的选择器装置。实施方式的选择器装置(1)具备第1电极(2)、第2电极(3)和配置于第1电极(2)与第2电极(2)之间的选择器层(4)。第1电极(2)及第2电极(3)中的至少一者具备层叠膜(11)，所述层叠膜(11)具有第1层(9)和第2层(10)，所述第1层(9)包含具有第一德拜温度(T1)的第1材料，所述第2层(10)按照与第1层(9)相接触的方式配置，包含具有比第一德拜温度(T1)低的第二德拜温度(T2)的第2材料。第一德拜温度(T1)相对于第二德拜温度(T2)之比(T1/T2)为5以上。 | ||
| 搜索关键词： | 选择器 装置 半导体 存储 | ||
【主权项】：
暂无信息
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