[发明专利]一种晶圆片表面缺陷等级判定方法在审
| 申请号： | 202110673755.8 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN115497843A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 高志强;甄博远;丁亚青;栗钢;刘效斐;李延彬;杨杰 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶圆片表面缺陷等级判定方法，步骤包括：获得含有被测晶圆片的显影成像图片，并确定其外缘成像直径；判断外缘成像直径所对应的像素值与晶圆片规格直径所对应的像素值的大小，以确定晶圆片的实际外缘是否在成像图片外缘之内；若晶圆片实际外缘在成像图片外缘之内，则裁剪成像图片中晶圆片外缘之外的区域；再在成像图片中划分若干缺陷判定区域；判定在每个缺陷判断区域中每一缺陷形状的数量，以确定晶圆片的缺陷等级。本发明可精确计算出被测样片的真实面积，并快速锁定被测样片的区域范围；再基于缺陷形状确定出不同缺陷所在的位置，综合判断出晶圆片的缺陷等级，以便向生产提供准确的缺陷分析。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆片 表面 缺陷 等级 判定 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司，未经内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110673755.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
