[发明专利]一种晶圆片表面缺陷等级判定方法在审
申请号: | 202110673755.8 | 申请日: | 2021-06-17 |
公开(公告)号: | CN115497843A | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 高志强;甄博远;丁亚青;栗钢;刘效斐;李延彬;杨杰 | 申请(专利权)人: | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 010070 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆片 表面 缺陷 等级 判定 方法 | ||
1.一种晶圆片表面缺陷等级判定方法,其特征在于,步骤包括:
判断被测晶圆片的实际直径所对应的像素值与所述晶圆片规格直径所对应的像素值的大小,以确定所述晶圆片的成像轮廓是否在所述晶圆片的显影成像图片轮廓之内;
若所述晶圆片成像轮廓均在所述成像图片轮廓之内,则裁剪所述成像图片中所述晶圆片对应的成像轮廓之外的区域;
再在所述晶圆片的实际轮廓内划分若干区域;
根据每一种缺陷在所述成像图片中所述晶圆片对应的成像轮廓内的投影形状及其在不同所述区域中的数量,以确定所述晶圆片的缺陷等级。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆片表面缺陷等级判定方法,其特征在于,所述判断被测晶圆片的实际直径所对应的像素值与所述晶圆片规格直径所对应的像素值的大小,以确定所述晶圆片的成像轮廓是否在所述晶圆片的显影成像图片轮廓之内,步骤包括:
基于所述成像图片的外缘成像直径与其像素值之比,获得像素基准系数;基于所述像素基准系数,分别获得所述实际直径和所述规格直径所对应的像素值;
再对比所述实际直径所对应的像素值和所述规格直径所对应的像素值。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆片表面缺陷等级判定方法,其特征在于,当所述实际直径所对应的像素值小于所述规格直径所对应的像素值时;
则,所述晶圆片的成像轮廓在所述成像图片轮廓之外;
调整相机焦距并重新进行显影成像,直至获得的所述实际直径所对应的像素值大于所述规格直径所对应的像素值。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种晶圆片表面缺陷等级判定方法,其特征在于,所述再在所述晶圆片的实际轮廓内划分若干区域,步骤包括:
在所述晶圆片的实际轮廓内划分同心设置的内圆和外圆;
所述内圆所占区域为内环区;
所述内圆与所述外圆之间的环形区域为外环区;和
所述外圆与所述晶圆片的实际轮廓之间的环形区域为外缘区。
5.根据权利要求4所述的一种晶圆片表面缺陷等级判定方法,其特征在于,所述内圆直径为所述外圆直径的1/2,且所述外圆直径为所述规格直径。
6.根据权利要求5所述的一种晶圆片表面缺陷等级判定方法,其特征在于,所述规格直径小于所述晶圆片的实际直径。
7.根据权利要求5或6所述的一种晶圆片表面缺陷等级判定方法,其特征在于,所述确定所述晶圆片的缺陷等级的步骤还包括根据每一种缺陷在所述成像图片中所述晶圆片对应的成像轮廓内的显影颜色的判定;
所述缺陷在所述成像图片中的显影颜色包括灰色和黑色;
根据所述缺陷形状在所述区域中数量的减少,所述晶圆片的缺陷等级逐次提高。
8.根据权利要求7所述的一种晶圆片表面缺陷等级判定方法,其特征在于,所述缺陷在所述晶圆片对应的成像轮廓内的形状包括:
长条弧状结构的缺陷一;
环状结构且宽度不均匀的缺陷二;以及
椭圆形结构的缺陷三;
所述缺陷一、所述缺陷二和所述缺陷三互不重叠。
9.根据权利要求8所述的一种晶圆片表面缺陷等级判定方法,其特征在于,所述缺陷一分布于所述外缘区设置;
所述缺陷二分布于所述内环区和所述外环区设置;
所述缺陷三分布于所述内环区设置。
10.根据权利要求8或9所述的一种晶圆片表面缺陷等级判定方法,其特征在于,所述晶圆片缺陷等级的判断依据依次包括:
所述外缘区中所述缺陷一的数量;
所述内环区和/或所述外环区中所述缺陷二的数量和颜色;以及
所述内环区中所述缺陷三的数量;
其中,所述外缘区中所述缺陷一的数量不小于两个;
所述内环区和/或所述外环区中所述缺陷二的颜色依次选择为黑色和灰色。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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