[发明专利]一种晶圆片表面缺陷等级判定方法

说明书

一种晶圆片表面缺陷等级判定方法，步骤包括：获得含有被测晶圆片的显影成像图片，并确定其外缘成像直径；判断外缘成像直径所对应的像素值与晶圆片规格直径所对应的像素值的大小，以确定晶圆片的实际外缘是否在成像图片外缘之内；若晶圆片实际外缘在成像图片外缘之内，则裁剪成像图片中晶圆片外缘之外的区域；再在成像图片中划分若干缺陷判定区域；判定在每个缺陷判断区域中每一缺陷形状的数量，以确定晶圆片的缺陷等级。本发明可精确计算出被测样片的真实面积，并快速锁定被测样片的区域范围；再基于缺陷形状确定出不同缺陷所在的位置，综合判断出晶圆片的缺陷等级，以便向生产提供准确的缺陷分析。

技术领域

本发明属于半导体硅片缺陷检测技术领域，尤其是涉及一种晶圆片表面缺陷等级判定方法。

背景技术

PL缺陷测试仪所依照的原理主要是光致发光原理是利用特定波长的激光作为激发光源，提供一定能量的光子，样片中处于基态的电子在吸收这些光子后而进入激发态，处于激发态的电子属于亚稳态，在短时间内会回到基态，并发出1150nm(SI电池为例)左右的红外光为波峰的荧光。利用高灵敏高分辨率的照相机进行感光，然后将图像通过软件进行分析。

发光的强度与本位置的非平衡少数载流子的浓度成正比，而缺陷将是少数载流子的强复合中心，因此该区域的少数载流子浓度变小导致荧光效应减弱，在图像上表现出来就成为暗色的点、线，或一定的区域，而在样片内复合较少的区域则表现为比较亮的区域。因此，可通过观察光致发光成像(PL)，来判断样片是否存在缺陷，杂质等等最终影响电池效率的因素。

中国公开专利CN201680060750.5提出一种判定自CZ法所制造的单晶硅所切出的硅晶圆的缺陷区域的判定方法，主要是针对在降低提拉速度的同时所生长的硅单晶的缺陷区域判定的原理，主要是采用微粒计数器的非破坏检查进行的判断。而这种判断方法不仅判断方法复杂，而且不适于各种晶圆片的判断，尤其是对于非拉速度影响的晶圆片的缺陷判断，无法准确判定缺陷级别和分类。

现有判定缺陷标准是通过PL设备拍摄成像后，由人工凭经验进行缺陷等级判定，再将判定结果录入至终端设备上保存。但人工判断干扰因素较多，投入成本也较多，工作效率低。

发明内容

本发明提供一种晶圆片表面缺陷等级判定方法，尤其是适用于智能判定晶圆片缺陷。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种晶圆片表面缺陷等级判定方法，步骤包括：

判断被测晶圆片的实际直径所对应的像素值与所述晶圆片规格直径所对应的像素值的大小，以确定所述晶圆片的成像轮廓是否在所述晶圆片的显影成像图片轮廓之内；

若所述晶圆片成像轮廓均在所述成像图片轮廓之内，则裁剪所述成像图片中所述晶圆片对应的成像轮廓之外的区域；

再在所述晶圆片的实际轮廓内划分若干区域；

根据每一种缺陷在所述成像图片中所述晶圆片对应的成像轮廓内的投影形状及其在不同所述区域中的数量，以确定所述晶圆片的缺陷等级。

进一步的，所述判断被测晶圆片的实际直径所对应的像素值与所述晶圆片规格直径所对应的像素值的大小，以确定所述晶圆片的成像轮廓是否在所述晶圆片的显影成像图片轮廓之内，步骤包括：

基于所述成像图片的外缘成像直径与其像素值之比，获得像素基准系数；

基于所述像素基准系数，分别获得所述实际直径和所述规格直径所对应的像素值；

再对比所述实际直径所对应的像素值和所述规格直径所对应的像素值。

进一步的，当所述实际直径所对应的像素值小于所述规格直径所对应的像素值时；

则，所述晶圆片的成像轮廓在所述成像图片轮廓之外；