[发明专利]屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110672190.1 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN113410291A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 惠亚妮;李秀然;薛华瑞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/40;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，包括：提供一具有外延层的衬底，外延层中形成有若干沟槽，沟槽的侧壁与衬底的表面的角度为87°～93°；执行湿氧氧化工艺形成至少部分第一介质层，覆盖沟槽的内壁；于沟槽中形成屏蔽栅；形成第二介质层及第一栅氧层；形成第二栅氧层，第二栅氧层覆盖第一栅氧层的内壁，且其底部拐角的形状为圆弧形；以及，于沟槽中形成栅极。利用湿氧氧化工艺形成第一介质层，解决了垂直沟槽难以填充的问题，并利用垂直沟槽改善电场分布，提高击穿电压，利用第二栅氧层覆盖第一栅氧层的底部拐角，增大该处的栅氧厚度，改善栅源间漏电，减少损耗，并降低外延层的体电阻及降低其厚度，以降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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